Investigation of velocity overshoot behavior in p-i-n GaAs semiconductor: The contribution of internal electric field

Tạp chí: Physics Letters A

Số trang:

Năm: 2019

Tác giả khoa MT&KHTN: Nguyễn Phước Thể

Các tác giả khác: Ho Khac Hieu

Liên kết: https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0375960119303524